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CSD75301W1015

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD75301W1015
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
TI
原廠封裝
2010
-

CSD75301W1015
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室
5490
TI
新年份
BGA-6
-
自己現(xiàn)貨特價

CSD75301W1015
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
TI
原廠封裝
2010
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

CSD75301W1015
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5970
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

CSD75301W1015
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7505
TI
DSBGA6
13+
-
原裝正品現(xiàn)貨庫存

CSD75301W1015
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
TI
DSBGA
1301+
-
原廠特價貨源

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1

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CSD75301W1015 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

CSD75301W1015 PDF下載

功能描述
MOSFET P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD75301W1015 技術(shù)參數(shù)

CSD75211W1723 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:12-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:12-DSBGA（1.53x1.98）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75208W1015T 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75208W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75207W15 功能描述:MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:162 毫歐 @ 1A，1.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75205W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86330Q3D CSD86350Q5D CSD86350Q5DEVM-604 CSD86360Q5D CSD87312Q3E CSD87313DMS CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D