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參數資料
| 型號： | FLC167WF |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | C-Band Power GaAs FET |
| 中文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE WF, 4 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | FLC167WF |
2
FLC167WF
C-Band Power GaAs FET
POWER DERATING CURVE
10
T
DRAIN CURRENT
vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
OUTPUT POWER
& IM3 vs. INPUT POWER
4
2
8
6
21
19
17
25
27
23
-30
-40
-50
-10
-20
0
50
100 150 200
2
0
4
6
8
10
Case Temperature (
°
C)
Drain-Source Voltage (V)
10 12 14 16 18
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
O
200
600
400
D
I
VGS =0V
-0.5V
Pout
IM3
-1.5V
-2.0V
-1.0V
VDS=10V
f1 = 6.0 GHz
f2 = 6.01GHz
2-tone Test
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
IDS
≈
0.6 IDSS
14 16 18 20 22 24
Input Power (dBm)
30
28
26
24
22
20
32
30
20
10
40
50
O
η
add
4 GHz
6 GHz
4 GHz
6 GHz
Pout
η
a
η
a
P1dB &
η
add vs. VDS
f=6GHz
IDS
≈
0.6 IDSS
8
9
10
Drain-Source Voltage (V)
32
31
30
40
30
50
P
η
add
P1dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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