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參數(shù)資料
| 型號： | IRF841F |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k) |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS晶體管（188.09十一） |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRF841F |
IRF840AS/L
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF842FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF843FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF840 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
| IRF840 | N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
| IRF840 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF841FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF841R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRF842 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRF842FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF842R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
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