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參數資料
| 型號： | IRF843FI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 4A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRF843FI |
IRF840AS/L
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
| IRF840 | N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
| IRF840 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF840 | 8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRF840PBF | HEXFET POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF8513TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8707GPBF | 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8707GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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