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參數資料
| 型號： | MC908QL4DW |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數： | 38/222頁 |
| 文件大小： | 2861K |
| 代理商： | MC908QL4DW |
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Memory
MC68HC908QL4 MC68HC908QL3 MC68HC908QL2 Data Sheet, Rev. 4
38
Freescale Semiconductor
2.6.4 FLASH Program Operation
Programming of the FLASH memory is done on a row basis. A row consists of 32 consecutive bytes
starting from addresses $XX00, $XX20, $XX40, $XX60, $XX80, $XXA0, $XXC0, or $XXE0. Use the
following step-by-step procedure to program a row of FLASH memory
Figure 2-4
shows a flowchart of the programming algorithm.
NOTE
Do not program any byte in the FLASH more than once after a successful
erase operation. Reprogramming bits to a byte which is already
programmed is not allowed without first erasing the page in which the byte
resides or mass erasing the entire FLASH memory. Programming without
first erasing may disturb data stored in the FLASH.
Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
Read the FLASH block protect register.
Write any data to any FLASH location within the address range desired.
Wait for a time, t
NVS
.
Set the HVEN bit.
Wait for a time, t
PGS
.
Write data to the FLASH address being programmed
(1)
.
Wait for time, t
PROG
.
Repeat step 7 and 8 until all desired bytes within the row are programmed.
Clear the PGM bit
(1)
.
Wait for time, t
NVH
.
Clear the HVEN bit.
After time, t
RCV
, the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
The COP register at location $FFFF should not be written between steps
5-12, when the HVEN bit is set. Since this register is located at a valid
FLASH address, unpredictable behavior may occur if this location is written
while HVEN is set.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data is programmed.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order shown, other unrelated operations may
occur between the steps. Do not exceed t
PROG
maximum, see
17.15
Memory Characteristics
.
1. The time between each FLASH address change, or the time between the last FLASH address programmed to clearing
PGM bit, must not exceed the maximum programming time, t
PROG
maximum.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QL4M | Microcontrollers |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MC908QL4M | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QL4MDT | 功能描述:IC MCU 8BIT 4K FLASH 16-TSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC908QL4MDTE | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908QL4MDTE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller |
| MC908QL4MDTER | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
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