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參數資料
| 型號： | MC9S12DB128BCPV |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封裝： | 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, LQFP-112 |
| 文件頁數： | 98/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DB128BCPV |
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MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
98
A.3.1.3 Sector Erase
Erasing a 512 byte Flash sector or a 4 byte EEPROM sector takes:
The setup times can be ignored for this operation.
A.3.1.4 Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup times can be ignored for this operation.
A.3.1.5 Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
first non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-11 NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock
f
NVMOSC
0.5
50
1
NOTES
:
1. Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
2. Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
and maximum bus frequency
f
bus
.
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of f
NVMOP
and bus frequency f
bus
.
Refer to formulae in Sections
A.3.1.1 - A.3.1.5
for guidance.
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
f
NVMBUS
1
MHz
3
D Operating Frequency
f
NVMOP
150
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
t
swpgm
46
2
74.5
3
μ
s
5
D Flash Burst Programming consecutive word
4
t
bwpgm
20.4
2
31
3
μ
s
6
D Flash Burst Programming Time for 32 Words
4
t
brpgm
678.4
2
1035.5
3
μ
s
7
P Sector Erase Time
t
era
20
5
26.7
3
ms
8
P Mass Erase Time
t
mass
100
5
133
3
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
t
check
11
6
32778
7
t
cyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
t
check
11
6
2058
7
t
cyc
t
era
4000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
mass
20000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
check
location t
cyc
10 t
cyc
+
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DB128BMFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DB128BMPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DB128BVFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DB128BVPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128B | MC9S12DT128B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC9S12DB128CFU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16BIT MC9S12DB CISC 128KB FLASH 50MHZ 3.3/5V 80PQFP - Bulk |
| MC9S12DB128CFUE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DB128CPV | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC9S12DB128CPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU MARLIN2 PB FREE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DB128CPVER | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設備:- 輸入/輸出數:32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數據轉換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
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