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參數資料
| 型號： | MC9S12DG128BMPV |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封裝： | 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, LQFP-112 |
| 文件頁數： | 98/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DG128BMPV |
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MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
98
A.3.1.3 Sector Erase
Erasing a 512 byte Flash sector or a 4 byte EEPROM sector takes:
The setup times can be ignored for this operation.
A.3.1.4 Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup times can be ignored for this operation.
A.3.1.5 Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
first non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-11 NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock
f
NVMOSC
0.5
50
1
NOTES
:
1. Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
2. Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
and maximum bus frequency
f
bus
.
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of f
NVMOP
and bus frequency f
bus
.
Refer to formulae in Sections
A.3.1.1 - A.3.1.5
for guidance.
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
f
NVMBUS
1
MHz
3
D Operating Frequency
f
NVMOP
150
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
t
swpgm
46
2
74.5
3
μ
s
5
D Flash Burst Programming consecutive word
4
t
bwpgm
20.4
2
31
3
μ
s
6
D Flash Burst Programming Time for 32 Words
4
t
brpgm
678.4
2
1035.5
3
μ
s
7
P Sector Erase Time
t
era
20
5
26.7
3
ms
8
P Mass Erase Time
t
mass
100
5
133
3
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
t
check
11
6
32778
7
t
cyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
t
check
11
6
2058
7
t
cyc
t
era
4000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
mass
20000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
check
location t
cyc
10 t
cyc
+
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DG128BVFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BVPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DJ128B | MC9S12DT128B |
| MC9S12DJ128BCFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DJ128BCPV | MC9S12DT128B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC9S12DG128BVFU | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DG128CFU | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
| MC9S12DG128CFUE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 BIT 25 MHZ RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DG128CFUER | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH 9S12 MCU MARL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DG128CFUER | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 16BIT MCU 25MHz 80-BQFP |
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