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參數資料
| 型號： | TMJ320C6211GNY167 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 元件分類： | 數字信號處理 |
| 英文描述： | FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
| 中文描述： | 定點數字信號處理器 |
| 文件頁數： | 50/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1176K |
| 代理商： | TMJ320C6211GNY167 |
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TMS320C6211, TMS320C6211B
FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS
SPRS073K
AUGUST 1998
REVISED MARCH 2004
50
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251
1443
SYNCHRONOUS-BURST MEMORY TIMING
timing requirements for synchronous-burst SRAM cycles
(see Figure 20)
NO.
C6211
150
C6211
167
C6211BGFNA
150
C6211B
150
C6211B
167
UNIT
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
6
t
su(EDV-EKOH)
Setup time, read EDx valid before
ECLKOUT high
2.5
2.5
2.5
ns
7
t
h(EKOH-EDV)
Hold time, read EDx valid after
ECLKOUT high
1
2.5
2
ns
The C6211/C6211B SBSRAM interface takes advantage of the internal burst counter in the SBSRAM. Accesses default to incrementing 4-word
bursts, but random bursts and decrementing bursts are done by interrupting bursts in progress. All burst types can sustain continuous data flow.
switching characteristics over recommended operating conditions for synchronous-burst SRAM
cycles
(see Figure 20 and Figure 21)
NO.
PARAMETER
C6211
150
C6211
167
C6211BGFNA
150
C6211B
150
C6211B
167
UNIT
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
1
t
d(EKOH-CEV)
Delay time, ECLKOUT high to CEx
valid
1.5
6.5
1
6.5
1.2
6.5
ns
2
t
d(EKOH-BEV)
Delay time, ECLKOUT high to BEx
valid
6.5
6.5
6.5
ns
3
t
d(EKOH-BEIV)
Delay time, ECLKOUT high to BEx
invalid
1.5
1
1.2
ns
4
t
d(EKOH-EAV)
Delay time, ECLKOUT high to EAx
valid
6.5
6.5
6.5
ns
5
t
d(EKOH-EAIV)
Delay time, ECLKOUT high to EAx
invalid
1.5
1
1.2
ns
8
t
d(EKOH-ADSV)
Delay time, ECLKOUT high to
ARE/SDCAS/SSADS valid
1.5
6.5
1
6.5
1.2
6.5
ns
9
t
d(EKOH-OEV)
Delay time, ECLKOUT high to
AOE/SDRAS/SSOE valid
1.5
6.5
1
6.5
1.2
6.5
ns
10
t
d(EKOH-EDV)
Delay time, ECLKOUT high to EDx
valid
7
7
7
ns
11
t
d(EKOH-EDIV)
Delay time, ECLKOUT high to EDx
invalid
1.5
1
1.2
ns
12
t
d(EKOH-WEV)
Delay time, ECLKOUT high to
AWE/SDWE/SSWE valid
1.5
6.5
1
6.5
1.2
6.5
ns
The C6211/C6211B SBSRAM interface takes advantage of the internal burst counter in the SBSRAM. Accesses default to incrementing 4-word
bursts, but random bursts and decrementing bursts are done by interrupting bursts in progress. All burst types can sustain continuous data flow.
ARE/SDCAS/SSADS, AOE/SDRAS/SSOE, and AWE/SDWE/SSWE operate as SSADS, SSOE, and SSWE, respectively, during SBSRAM
accesses.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMX320C6201GNY167 | FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
| TMX320C6211GNZ167 | FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
| TMP320C6211GNZ167 | FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
| TMX320C6211PYP167 | FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
| TMP320C6211PYP167 | FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TMJ320C6211GNZ167 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
| TMJ320C6211PYP167 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS |
| TMJ325AB7475KMHP | 功能描述:CAP CER 4.7UF 25V X7R 1210 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電容:4.7μF 容差:±10% 電壓 - 額定:25V 溫度系數:X7R 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:軟端子 等級:AEC-Q200 應用:汽車，SMPS 濾波，Boardflex 敏感 故障率:- 安裝類型:表面貼裝，MLCC 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.110"（2.80mm） 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 |
| TMJ325AB7475KMHT | 功能描述:4.7μF 25V 陶瓷電容器 X7R 1210（3225 公制） 0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電容:4.7μF 容差:±10% 電壓 - 額定:25V 溫度系數:X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:汽車級，Boardflex 敏感 等級:AEC-Q200 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.106"（2.70mm） 引線間距:- 特性:軟端子 引線形式:- 標準包裝:1 |
| TMJ325KB7106KMHP | 功能描述:CAP CER 10UF 25V X7R 1210 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電容:10μF 容差:±10% 電壓 - 額定:25V 溫度系數:X7R 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:軟端子 等級:AEC-Q200 應用:汽車，SMPS 濾波，Boardflex 敏感 故障率:- 安裝類型:表面貼裝，MLCC 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.110"（2.80mm） 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 |
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