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參數資料
| 型號： | 2SK2373 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SK2373 |
2SK2373
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
30
V
Gate to source voltage
±
20
0.2
V
Drain current
A
Drain peak current
1
0.4
A
Body to drain diode reverse drain current
0.2
A
Channel dissipation
2
150
mW
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
100
μ
s, duty cycle
≤
10 %
2. Marking is “ZE–”.
Tstg
–55 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SK2418 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SK2373ZE-TR-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2375 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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