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參數資料
| 型號： | 2SK2373 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SK2373 |
2SK2373
5
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Gate to Source Voltage V (V)
V
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
D
4
8
12
16
20
0.2 A
0.1 A
I = 0.05 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
10
Ta = 25 °C
Pulse Test
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
10 V
V = 4 V
2
5
1
0.1
0.2
0.5
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
V = 10 V
Pulse Test
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
Ta = –25 °C
75 °C
25 °C
100
10
1
0.1
0
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10
20
30
40
50
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
30
3
0.3
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PDF描述 |
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參數描述 |
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