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參數資料
| 型號： | 2SK2373 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SK2373 |
2SK2373
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 100 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±
2
1
μ
A
μ
A
V
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 10
μ
A, V
DS
= 5 V
I
D
= 20 mA
V
GS
= 4 V*
I
D
= 10 mA
V
GS
= 10 V*
V
DS
= 10 V
V
= 0
f = 1 MHz
Zero gate voltage drain current I
DSS
Gate to source cutoff voltage
—
—
V
GS(off)
R
DS(on)
1.0
—
2.0
Static drain to source on state
resistance
—
1.4
2.5
1
—
1.0
1.4
1
Input capacitance
Ciss
—
17.8
—
pF
Output capacitance
Coss
—
25.4
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
3.7
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
—
50
—
ns
I
D
= 0.1 A
V
GS
= 10 V
R
= 100
PW = 2
μ
s
Rise time
t
r
t
d(off)
t
f
—
125
—
ns
Turn-off delay time
—
660
—
ns
Fall time
Note
—
400
—
ns
1. Pulse Test
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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