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參數資料
| 型號： | 2SK3062 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SK3062 |
Data Sheet D13101EJ1V0DS00
5
2SK3062
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
m
0
50
5
0
50
100
150
I
D
= 35
A
10
20
15
V
GS
= 4.0
V
10
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
0.1
0
1
10
100
0.5
Pulsed
1
1.5
0
V
V
GS
= 4.0
V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
= 0 V
f = 1
MHz
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
10
100
1000
10000
1
10
100
V
DS
= 30
V
V
GS
= 10
V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt
=
100
A
/
V
GS
=
0 V
μ
s
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
80
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
25
50
75
100
20
40
60
2
4
6
8
0
V
DD
= 12 V
30 V
48 V
12
14
16
10
I
D
= 70
A
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PDF描述 |
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