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參數資料
| 型號： | 2SK3062-ZJ |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SK3062-ZJ |
Data Sheet D13101EJ1V0DS00
3
2SK3062
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature -
°
C
d
0
25
50
75
100
125
150
175
200
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
25
50
75
100
125
150
175
200
140
120
100
80
60
40
20
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
T
= 25
C
Single Pulse
R
DSon
Lmted@V
GS
=10V
P
W
=
10
μ
s
100
μ
s
1
ms
ms
100
ms
DCDsspai10
I
D(DC)=70 A
I
D(pulse)=280 A
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
2
3
4
200
1
Pulsed
V
GS
=
10 V
V
GS
=
4.0
V
100
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
Pulsed
V
DS
= 10
V
T
A
= 125C
75C
25C
25C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3062-S | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:3; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:8-3 |
| 2SK30651000 | Small switching (60V, 2A) |
| 2SK3065T100 | Small switching (60V, 2A) |
| 2SK3070S | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3110 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3064 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK306400L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3064G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3065 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK30651000 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Small switching (60V, 2A) |
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