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參數資料
| 型號： | 2SK3062-ZJ |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SK3062-ZJ |
Data Sheet D13101EJ1V0DS00
4
2SK3062
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1000
1
m
10
m
100
m
1
10
100
1000
10
μ
μ
100
T
C
= 25C
Single Pulse
R
th(ch-C)
= 1.25
C/W
R
th(ch-A)
= 83.3 C/W
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
|
y
f
|
V
=
10
V
Pulsed
0.1
1.0
1
10
100
10
100
T
ch
=
25C
25C
75C
125C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
5
20
10
10
15
Pulsed
I
D
=
35
A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1
0.1
30
10
100
0
10
20
Pulsed
10
V
V
GS
=
4.0
V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
V
DS
= 10
V
I
D
= 1
mA
50
0
50
100
150
0
1.0
2.0
1.5
0.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3062-S | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:3; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:8-3 |
| 2SK30651000 | Small switching (60V, 2A) |
| 2SK3065T100 | Small switching (60V, 2A) |
| 2SK3070S | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3110 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3064 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK306400L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3064G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3065 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK30651000 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Small switching (60V, 2A) |
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