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參數資料
| 型號： | 62C1024L |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K的× 8低功耗CMOS靜態RAM |
| 文件頁數： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | 62C1024L |
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. E
11/26/03
IS62C1024L
ISSI
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-35
-70
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
DOE
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
1
(2)
t
LZCE
2
(2)
t
HZCE
(2)
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
35
—
70
—
ns
Address Access Time
—
35
—
70
ns
Output Hold Time
3
—
3
—
ns
CE1
Access Time
—
35
—
70
ns
CE2 Access Time
—
35
—
70
ns
OE
Access Time
—
10
—
35
ns
OE
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
OE
to High-Z Output
0
10
0
25
ns
CE1
to Low-Z Output
3
—
10
—
ns
CE2 to Low-Z Output
3
—
10
—
ns
CE1
or CE2 to High-Z Output
0
10
0
25
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0 to 3.0V and
output loading specified in Figure 1a.
2. Tested with the load in Figure 1b. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-35 ns
Min. Max.
-70 ns
Min. Max.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Unit
I
CC
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
V
DD
= Max.,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
Com.
Ind.
—
—
100
110
—
—
70
80
mA
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
,
CE1
≥
V
IH
,
or CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
DD
= Max.,
CE1
≤
V
DD
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
DD
– 0.2V,
or V
IN
≤
0.2V, f = 0
Com.
Ind.
—
—
10
15
—
—
10
15
mA
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
Com.
Ind.
—
—
500
750
—
—
500
750
μA
Note:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
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