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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC908QL4M |
| 廠(chǎng)商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 218/222頁(yè) |
| 文件大小： | 2861K |
| 代理商： | MC908QL4M |
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Electrical Specifications
MC68HC908QL4 MC68HC908QL3 MC68HC908QL2 Data Sheet, Rev. 4
218
Freescale Semiconductor
17.15 Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
RAM data retention voltage
(1)
1. Values are based on characterization results, not tested in production.
2. f
Read
is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
3. t
RCV
is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump, by
clearing HVEN to 0.
4. t
HV
is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
t
HV
must satisfy this condition: t
NVS
+ t
NVH
+ t
PGS
+ (t
PROG
x
32)
≤
t
HV
maximum.
5. Typical endurance was evaluated for this product family. For additional information on how Freescale Semiconductor
defines
Typical Endurance
, please refer to Engineering Bulletin EB619.
6. Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale Semiconductor defines
Typical Data
Retention
, please refer to Engineering Bulletin EB618.
V
RDR
1.3
—
—
V
FLASH program bus clock frequency
—
1
—
—
MHz
FLASH PGM/ERASE supply voltage (V
DD
)
V
PGM/ERASE
2.7
—
5.5
V
FLASH read bus clock frequency
f
Read(2)
0
—
8 M
Hz
FLASH page erase time
<1 K cycles
>1 K cycles
t
Erase
0.9
3.6
1
4
1.1
5.5
ms
FLASH mass erase time
t
MErase
4
—
—
ms
FLASH PGM/ERASE to HVEN setup time
t
NVS
10
—
—
μ
s
FLASH high-voltage hold time
t
NVH
5
—
—
μ
s
FLASH high-voltage hold time (mass erase)
t
NVHL
100
—
—
μ
s
FLASH program hold time
t
PGS
5
—
—
μ
s
FLASH program time
t
PROG
30
—
40
μ
s
FLASH return to read time
t
RCV(3)
1
—
—
μ
s
FLASH cumulative program hv period
t
HV(4)
—
—
4
ms
FLASH endurance
(5)
—
10 k
100 k
—
Cycles
FLASH data retention time
(6)
—
15
100
—
Years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QL4V | Microcontrollers |
| MC912DG128x | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC68HC912DG128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC912DG128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC68HC912DT128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC908QL4MDT | 功能描述:IC MCU 8BIT 4K FLASH 16-TSSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤(pán) 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC908QL4MDTE | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| MC908QL4MDTE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller |
| MC908QL4MDTER | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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