- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371076 > MC908QL4M (Motorola, Inc.) Microcontrollers PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MC908QL4M |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數： | 35/222頁 |
| 文件大小： | 2861K |
| 代理商： | MC908QL4M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁當前第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁
FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QL4 MC68HC908QL3 MC68HC908QL2 Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
35
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
Bit 7
6
5
4
3
2
1
Bit 0
Read:
0
0
0
0
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
0
0
0
0
0
0
0
0
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QL4V | Microcontrollers |
| MC912DG128x | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC68HC912DG128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC912DG128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC68HC912DT128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC908QL4MDT | 功能描述:IC MCU 8BIT 4K FLASH 16-TSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC908QL4MDTE | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908QL4MDTE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller |
| MC908QL4MDTER | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908QL4MDW | 功能描述:IC MCU 8BIT 4K FLASH 16-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。