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參數資料
| 型號： | MC912DG128A |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| 中文描述： | 16位微控制器裝置 |
| 文件頁數： | 98/404頁 |
| 文件大小： | 2141K |
| 代理商： | MC912DG128A |
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Flash EEPROM
MC68HC912DT128A Rev 2.0
98
Flash EEPROM
MOTOROLA
and $XXC0. Use this step-by-step procedure to program a row of Flash
memory.
1. Set the PGM bit. This configures the memory for program
operation and enables the latching of address and data for
programming.
2. Write to any Flash address with any data within the row address
range desired.
3. Wait for a time, t
NVS
(min. 10
μ
s).
4. Set the HVEN bit.
5. Wait for a time, t
PGS
(min. 5
μ
s).
6. Write to the Flash address with data to the word desired to be
programmed. If BOOTP is asserted, an attempt to program an
address in the boot block will be ignored.
7. Wait for a time, t
FPGM
(min. 30
μ
s).
8. Repeat step 6 and 7 until all the words within the row are
programmed.
9. Clear the PGM bit.
10.
Wait for a time, t
NVH
(min. 5
μ
s).
11.
Clear the HVEN bit.
12.
After time, t
RCV
(min 1
μ
s), the memory can be accessed in read
mode again.
This program sequence is repeated throughout the memory until all data
is programmed. For minimum overall programming time and least
program disturb effect, the sequence should be part of an intelligent
operation which iterates per row.
Erasing the Flash EEPROM
The following sequence demonstrates the recommended procedure for
erasing any of the Flash EEPROM array.
1. Set the ERAS bit.
2. Write to any valid address in the Flash array. The data written and
the address written are not important. The boot block will be
6-flash
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PDF描述 |
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